（一）公司所处行业发展趋势 　　1、国家政策全力支持，未来发展可期 　　功率半导体关系到我国智能电网、高铁动力系统、汽车动力系统等关键零部件的国产化进程，是关系到高铁工业、汽车工业自主可控的战略性产业。国家政策的支持将加速我国高端功率器件的发展进程，加速MOSFET、IGBT等高端功率器件芯片生产工艺的研制和开发进程。半导体产业依托“十三五”国家战略性新兴产业发展规划和十九大提出“资本为实体经济服务”的精神，未来发展可期。 　　国家半导体产业政策的技术导向和扶持对公司经营形成了良好的发展环境，鼓励本土企业在拥有自主知识产权的基础上，与国际产品形成良性竞争，降低我国对进口功率半导体分立器件的依赖性。在国家政策强有力的支持下，中长期来看，我国必然会出现若干家跻身国际一线梯队的功率半导体企业，而公司也将会在国家政策强有力的支持下，朝上述目标而努力。 　　2、半导体分立器件市场前景广阔 　　根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）统计数据显示，根据WSTS统计，从2013年到2018年，全球半导体市场规模从3,056亿美元迅速提升至4,688亿美元，年均复合增长率达到8.93%。 　　我国半导体分立器件的起步虽然较晚，但是市场规模增长迅速，已经成为全球最大的功率半导体市场之一，预计未来我国半导体分立器件销售额仍保持增长态势。根据中国半导体行业协会统计，2018年功率半导体市场规模增长至2,591亿元，增长率为12.76%，2019年市场规模预计增加至2,900亿元，硅基半导体功率器件是市场主流产品。2019年是我国5G元年，但网络覆盖不完善、终端数量较少、终端价格昂贵，随着网络建设的逐渐完善、终端机型数量增加和价格下降，2020年将可能迎来5G消费的爆发。 　　根据盖世汽车研究院预测，汽车电子的广阔市场，2017年-2022年我国汽车电子市场将以10.6%速度增长，增速超过全球，2020年我国汽车电子市场规模将超过8,000亿元。 　　功率半导体器件作为中国发展信息化及网络强国的核心器件，未来将迎来新一轮的发展阶段，未来三年，预计中国电力电子器件市场规模复合增长率高达9.7%，整体销售规模将进一步提高。预计2020年全球功率半导体市场规模近160亿美元。 　　受益于计算机、通信、消费电子等终端市场需求的拉动，在我国以物联网、轨道交通、节能环保、新能源汽车等产业为代表的战略性新兴下游应用市场的发展推动下，我国目前已成为全球最大的半导体分立器件应用市场，并保持着持续、快速、稳定的发展。 　　3、半导体分立器件国产供给率低，国产替代化道路任重而道远 　　根据海关统计数据，2018年中国半导体进出口金额为3,414.6亿美元，出口金额为1,140.1亿美元，进出口逆差为2,274.5亿美元。而2015年中国集成电路（IC）进口金额已超过原油，成为我国第一大进口商品。2018年中国集成电路（IC）进口金额为3,120.6亿美元，而出口金额仅为846.4亿美元，进出口逆差2,274.2亿美元。特别是2018年由于国际贸易摩擦，美国对中兴公司的制裁使得其一度停摆。尽快提高半导体产品的国产化供给率，目前成为了我们国家的工业现代化进程中亟需重视及解决的关键问题。 　　在半导体分立器件行业，尽管中国已经发展成为全球最大的半导体分立器件市场，但就半导体分立器件的供给而言，目前全球半导体分立器件主要以美日欧企业为主，高端市场几乎被这三大主力垄断。中国功率半导体分立器件的设计制造能力还有待提高，关键技术仍掌握在少数国外公司手中。 　　全球功率市场主要竞争者包括德国英飞凌(Infineon)、意法半导体（ST）、恩智浦半导体（NXP）、赛米控(Semikron)、日本三菱（Mitsubishi）、瑞萨（RENESAS）、富士电机（FujiElectric）、美国安森美(OnSemi)、瑞土ABB等，占市场份额达达到70%以上。其中，在1700V电压以上的工业IGBT市场，德国英飞凌(Infineon)、三菱、ABB公司处子行业领先地位，且几乎垄断了3300V以上高压IGBT产品。富士电机（FujiElectric）、赛米控(Semikron)和美国安森美(OnSemi)的主场是1700V以下的消费级和汽车级IGBT市场。 　　目前，国内市场所需的功率半导体分立器件主要依赖进口产品，国际大型半导体公司产品在中国市场的优势地位突出。据芯谋研究数据统计，2019年，虽然贸易摩擦持续进行，以及全球半导体产业因为存储器产业下滑而下降，但全球功率分立器件产业仍然微小幅度增长。2020年，因为新冠肺炎的爆发，以及在全球的蔓延，将直接影响中国和全球半导体产业的恢复和增长，目前预期全球功率分立器件产业小幅成长。 　　未来几年，以及为应对新冠肺炎带来的经济下行压力，预计国家将加快5G网络建设与推广、推出较优惠的电动汽车消费政策、持续的产业升级，以及国家的互联网+等战略推动下，在各种工业电子产品、高能效的家用电器的带动下，中国功率分立器件将会恢复成长。近年来，国内企业生产技术快速追赶，部分优质公司已跻身行业第二梯队。虽然在高端产品领域，国内企业的技术与国外仍有差距，晶闸管等细分行业在我国发展成熟，国内部分优质企业的技术已达到国际水准，将迎来新的增速。 　　公司作为国内晶闸管行业的龙头企业，在与国外大型半导体企业竞争的过程中，取得了一定的市场地位。晶闸管是功率半导体分立器件中技术成熟的产品，在所有功率半导体分立器件中，晶闸管耐压容量最高（可达12KV以上）、电流容量最大（可到6000A以上）。正是由于其高电压、大电流、导通损耗极低的特性，在高压直流输电（HVDC）、静止无功补偿（SVC）、大功率直流电源及超大功率和高压变频调速应用方面占有十分重要的地位。另一方面，相对于其他功率半导体分立器件，晶闸管制造成本较低、体积小、重量轻、相应配套电路结构简单的特点，保证了晶闸管的广泛应用空间。 　　公司凭借长期的技术积累和自主创新，生产的高端晶闸管产品逐渐受到国际知名半导体公司和下游知名企业的重视和认可，通过了复杂的产品技术、生产工艺等前期质量认定程序，原来只采用国际晶闸管产品的下游客户以及国际知名半导体公司逐步与公司达成供货意向或签署了供货协议，实现国产高端产品替代进口同类产品，降低我国对国际大型半导体公司的依赖，并不断增加高端晶闸管产品的出口量，在国际市场上以优良的性价比优势与国际产品展开良性竞争。 　　4、“十三五”发展机遇为行业提供新增长点 　　2016年，科技部、财政部、税务总局公布了《2016年国家重点支持的高新技术领域目录》，将大功率半导体器件纳入本目录，具体包括：高可靠、长寿命、低成本VDMOS垂直栅场效应晶体管制造技术；绝缘栅双极型功率管（IGBT）；用于大型电力电子成套装置的集成门极换流晶闸管（IGCT）制造技术；其他新机理的大功率半导体器件制造技术。 　　2016年，国务院出台《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》，明确指出做强信息技术核心产业，提升核心基础硬件供给能力。推动电子器件变革性升级换代，加强低功耗高性能新原理硅基器件、硅基光电子、混合光电子、微波光电子等领域前沿技术和器件研发，功率半导体分立器件产业将迎来新的一轮高速发展期。 　　2017年1月，国家发改委公布了《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录（2016版）》（2017年第1号），涉及电子核心产业，进一步明确电力电子功率器件的地位和范围，包括金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管芯片（IGBT）及模块、快恢复二极管（FRD）、垂直双扩散金属-氧化物场效应晶体管（VDMOS）、可控硅（SCR）、5英寸以上大功率晶闸管（GTO）、集成门极换流晶闸管（IGCT）、中小功率智能模块。 　　公司以“十三五”国家战略性新兴产业发展规划、《国家集成电路产业发展纲要》为牵引，聚焦主业发展方向，通过主营业务的聚焦和深耕，结合资本市场，着力培育公司新的增长点，积极布局相应的MOSFET、IGBT及第三代半导体器件，拓宽现有产业链，在功率半导体分立器件行业的高速发展期引领行业前进，在广阔的市场空间中占有一席之地。 　　（二）公司发展战略与规划 　　1、提升产品的优势地位，紧随科技进步扩展产业链 　　（1）发展愿景： 　　公司成为具有国际竞争力的功率半导体器件品牌制造商，坚守并秉承向顾客提供优质产品与解决方案，为股东创造价值，让员工分享企业发展成果，承担企业社会责任与使命，建立“诚信、务实、创新、共赢”的企业价值观。 　　（2）发展纲要： 　　公司以“十三五”国家战略性新兴产业发展规划、《国家集成电路产业发展纲要》等为指引，聚焦主业发展方向，基于顾客价值创造，正确认知与选择，砥砺创造与创新，保持对研发和创新的高投入，用面向未来的能力来提升自己，坚持以市场为导向，坚持创新驱动，坚持以质量为主要竞争优势，矢志不渝地深耕功率半导体器件领域，实现高质量可持续发展。 　　（3）发展规划： 　　1）坚持以市场为导向，以平台和品牌为引擎，技术立足，创新引领，细分、优化、拓展业务板块，打造优秀团队和高效的组织架构与营运机制，提升产品应用领域与转型升级，提高创造现金流的能力，保证可持续的现金流。 　　2）加强产线与产能和产品规划，推动可控硅（IDM）、二极体芯片及器件和FRD（IDM）、MOSFET（Fabless+封测→IDM）、IGBT（Fabless+封测→IDM）、光电耦合器件（Fabless+封测→IDM）、汽车用半导体功率器件（IDM）等以及碳化硅、氮化镓等新型电力半导体器件的研发和推广。 　　3）建立健全长效激励机制，以上年度实现的净利润值或完成当年关键业绩指标为基准考核对下年度实现的超额部分实行薪酬激励与股权激励双轨制，即根据上年度实现的超额（税后净利）部分的20-30%或30-50%用于团队的薪酬激励和股权激励（可供团队自主选择）。 　　4）完善并改进现有的经营理念与经营模式，着力提升市场维度与格局，实现人才与平台，市场与品牌的友好结合，以“产线、产品、市场”和“市场、产品、产线”的双驱动，全面融合深圳、上海、成都、西安、杭州等地的人才、资源和市场为中心的深度布局，拓展与拓宽产业链，放眼未来，未来可期。 　　5）加强公司治理结构，服从市场原则，紧紧围绕主业，通过产业基金与并购基金等方式，围绕技术与业务协同实现产业整合与并购重组，预期明确，风险可控，商誉保证。严守每股收益和净资产收益率的双底线，提高公司核心竞争力，提升公司价值与股东价值。 　　2、增强公司综合竞争力，提升公司的行业地位 　　（1）行业及市场定位与规划： 　　1）致力于功率半导体器件的设计、制造和销售，聚焦进口替代，打造具有国际竞争力的一流产品线，不断提升国内国际市场影响力。 　　2）进一步拓展“方片式”塑封晶闸管器件在家用电器、低压电器、工业设备等领域的市场份额，在细分领域力争国内领先、世界一流，努力打造成为国际市场知名品牌。 　　3）进一步拓展功率半导体防护器件在通讯设备、汽车电子、智能家居、安防、工业控制、仪器仪表、照明、移动终端设备、防雷模块等领域的应用，冲刺国内领先。 　　4）积极布局有特色的FRD、高端整流器产品线，进入新能源汽车、光伏、风电、电焊机、各类变频电源等领域。 　　5）加快功率MOSFET、IGBT、碳化硅、氮化镓等新型电力半导体器件的研发和推广，从先进封装、芯片设计等多方面同步切入，进入新能源汽车、5G、手机快充、平板电脑、智能监控和各类电源等领域。 　　6）积极推进研发投入，持续精益制造技术和制造工艺，保持产品具有良好温度特性的产品结构和工艺技术；具有较高的dv/dt能力、较强的抗电磁干扰能力和较大电流冲击承受能力的产品结构和工艺技术；具有高可靠性、多种金属组合、低VF值、高耐压、高结温的产品结构和工艺技术；耐高绝缘电压、低热组、高可靠性的封装技术；夯实质量控制和管理，实现较高的芯片合格率和制造成本的优势。 　　（2）产品矩阵中长期定位与规划： 　　1）250A/2600V以下的“方片式”单、双向晶闸管塑封器件； 　　2）半导体防护器件器件、功率稳压管系列器件、功率集成式防护器件； 　　3）高端整流器件和FRD； 　　4）模块与组件（可控硅模组、整流模组、混合模组、MOSFET模组、IGBT模组、交直流固态继电器等）； 　　5）小型化、薄型化、贴片式、低阻抗、高功率密度的先进封装工艺技术； 　　6）平面技术的小信号器件； 　　7）功率MOSFET器件； 　　8）光电耦合器件； 　　9）IGBT芯片的开发； 　　10）碳化硅、氮化镓器件的开发和推广； 　　11）功率IC的研究与开发； 　　12）择机符合产业发展的资源整合（包括上下游）。 　　（3）知识产权提升和保护品牌战略： 　　1）进一步强化企业的知识产权意识体系、开发（创新）体系、知识产权运用体系、知识产权管理体系、知识产权防护体系，将知识产权思维贯穿到企业发展和企业运营的全过程中。 　　2）专利：建立专利数据库，实时掌握竞争对手专利状态，“创新性技术包括新机理技术等先申请、后开发”，保护企业的专有技术；建立专利管理机制、专利奖励机制。每年取得≥3件发明专利授权、≥6件实用新型专利授权，以业务板块为单位的“产学研”项目每年不少于1项等。 　　3）商业秘密：通过教育、培训等多种方式强化企业领导和员工的商业秘密意识；制定企业商业秘密保护方案和规章制度；明确商业秘密内容和等级；与员工签订商业秘密协议；建立网络环境下的商业秘密保护制度和措施。 　　4）商标：制定和规范企业商标管理制度，统一化商标使用；配合市场拓展目标，提前注册国际商标；提高产品宣传中的商标显著度。 　　（4）人才发展规划： 　　1）加强人才梯队建设，培养一大批专业型基层优秀员工队伍。辅助各类激励政策，鼓励员工拓展技能的广度与深度，理论与实践结合并进，高效率高产出一体化，促进人才专业化多元化，进一步夯实人才核心竞争力。 　　2）从优秀员工中选拨管理人才，根据岗位重点定向培养，逐步建立一支充足的高素质基层管理队伍和中层管理后备力量。 　　3）高质量引进、选拨和培养一批事业心强、一专多能的综合型复合型技术和管理人才（包括资本运作人才），打造核心高效团队，进一步增添企业活力，与企业共生共赢共长。 　　4）弘扬“捷捷”理念和文化，打造优秀团队，着力通过平台、品牌双引擎驱动，积极引进和培养一批公平公正、事业心强、团队意识强、综合能力高、与本企业的发展和管理相匹配的杰出中高层管理队伍，和企业共同发展，利益共享。

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