电磁炮带来的国产功率器件价值

　　事件：中国官方主动证实新型武器电磁炮装置军舰进行测试成功，并宣称中国在电磁炮研发进度超越美国。在电磁炮技术中，绝缘栅双极电晶片(Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT)最重要，这种晶片被视为是电磁炮的关键组件。

　　国内MOSFET标的稀缺，成国产替代大风口

　　功率MOSFET市场中英飞凌、仙童半导体、日本瑞萨电子、欧洲意法半导体、日本东芝等厂商占据了绝大部分市场份额，前五大厂商的市场占有率合计达到了60.1%。全球IGBT器件及模块主要是德国英飞凌及赛米控(semikron)，日本三菱及富士电机，美国仙童半导体基本把控了全球市场，前五大厂商占据了73.2%的市场份额。目前以扬杰科技(300373) 、士兰微(600460) 为代表的功率半导体龙头企业市场占有率不1%，进口替代的空间巨大。

　　国家大基金二期成立，功率器件成关键点

　　国家大基金第二期已在募资中，预计规模将达人民币1500~2000亿元，投资项目将有所调整。政府从中央到地方对半导体产业支持力道将持续扩大，国家大基金锁定记忆体、碳化硅(SiC)及氮化镓(GaN)等化合物半导体、以人工智能及物联网为主的IC设计等三大领域加强投资。增强特色工艺专用芯片制造能力，带动电源管理、高压驱动、功率器件、IGBT、显示驱动等芯片设计水平的提升；推进化学物半导体器件的发展。

　　优质标的提前布局，市场可发挥空间充足

　　扬杰科技是中国半导体功率器件十强排名第2位，成功研制出超薄大功率集成电路封装产品，公司积极推进SiC芯片与器件的研发进程，待产业化技术成熟后，合理规划相应产能。士兰微与厦门市政府签订战略合作协议，拟合作建设项目包括：12寸特色工艺芯片项目(170亿元)，建设两条12寸90-65nm的特色工艺芯片生产线。先进化合物半导体项目(50亿元)，建设4/6寸兼容先进化合物半导体器件生产线。其中功率器件MOSFET与IGBT是公司未来的发展方向。

　　风险提示：国际市场竞争加剧；下游应用扩展不及预期。