我国科学家开创第三类存储技术 写入速度万倍提升

来源: 互联网 作者:佚名

摘要: 近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,写入速度比目前U盘快一万倍,数据存储时间也可自行决定。新的存储技术写入速度比目前U盘快

  近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,写入速度比目前U盘快一万倍,数据存储时间也可自行决定。新的存储技术写入速度比目前U盘快10000倍,数据刷新时间是内存技术的156倍,这种全新特性不仅在高速内存中可以极大降低存储功耗,还可以实现数据有效期截止后自然消失,在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。

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