光刻机常识的三大误区

　　1/ DUV和EUV被限，国内扩产逻辑破了？

　　光刻机大致分为两类：

　　1）DUV深紫外线光刻机：可以制备0.13um到28/14/7nm芯片；

　　2）EUV极紫外线光刻机：适合7nm到5/4/3nm以下芯片。

　　目前情况下DUV光刻机并不限制中国，还在正常供应，因为供应商主要来自于欧洲荷兰的ASML以及日本Nikon、佳能，并不直接受美国禁令，但EUV目前并未买到。

　　回顾光刻机的历史，我们发现：DUV技术由日本和荷兰独立发展：自2006年超越尼康成为全球光刻机龙头以后，其行业领导地位维持至今。同时，由于核心浸没式技术主要来自台积电，所以美国在DUV领域不具备统治地位，ASML向中国出货DUV光刻机也无需得到美国授权。

　　EUV自出生就被美国从资本和技术层面全面掌控（与DUV有本质的不同）：1997年EUV LLC联盟成立，由英特尔和美国政府牵头成。ASML在2007年收购美国Brion，获取了光刻技术后，成功开启并购美国光刻企业之路。至此，美国开始在EUV技术方面渗入ASML。2012年，英特尔、三星、台积电共同买入ASML23%的股权，获得了ASML光刻机的优先供货权，成为了利益共同体。

　　2/ 有了光刻机就能造芯片？

　　其实光刻只是半导体前道7大工艺环节（光刻、刻蚀、沉积、离子注入、清洗、氧化、检测）中的一个环节，虽然是最重要的环节之一，但是离开了其他6个环节中的任何一个都不行。

　　集成电路的制造工艺分为“三大四小”工艺：三大（75%）：光刻、刻蚀、沉积；四小（25%）：清洗、氧化、检测、离子注入。

　　一般情况下光刻占整条产线设备投资的30%，与刻蚀机（25%）、PVD/CVD/ALD（25%）并列成为最重要的三大前道设备之一，所以并不是有了光刻机就能造芯片，光刻只是芯片制造工艺流程的中的一个，还需要其他6大前道工艺设备的支撑，其重要程度与光刻机同等重要。

　　3/ 中国最紧迫的是造出光刻机？

　　其实目前中国并不缺光刻机，缺的是其他6大类被美国厂商把持的工艺设备（沉积、刻蚀、离子注入、清洗、氧化、检测）。

　　中国半导体未来将从全部外循环，转向外循环+内循环的双循环架构，基于半导体是全球化深度分工的现实，外循环也就是团结非美系设备商依旧是重点和现实的选择。

　　目前前道设备格局是：1）光刻机：由欧洲ASML和日本Nikon和Canon垄断；2）刻蚀、沉积、离子注入、清洗、氧化、检测设备：由美国和日本垄断，其中检测设备由美系的KLA深度垄断。

　　所以现在中国半导体扩产大背景下的内外双循环的当务之急是依靠国产和联合欧洲、日本去替代美国把持的非光刻设备，所以，与绝大多数人理解的不同，中国半导体制造并不缺光刻机。