斯达半导:涨停 | 科技类交易型开放式指数基金(ETF)获批
摘要: 6月20日,国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂,总投资240亿美元。
近日,在停滞了近5个月后,终于再有科技类交易型开放式指数基金(ETF)获批,引发市场高度关注。公开信息显示,从年初开始,多家基金公司将科技类ETF作为新产品申报的重点。6月20日,国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂,总投资240亿美元。
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,并以IGBT模块形式对外实现销售。IGBT模块的核心是IGBT芯片和快恢复二极管芯片,公司自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管芯片是公司的核心竞争力之一。公司已经成功研发出FS-Trench型IGBT芯片并实现规模化量产。同时已经成功研发出可多个芯片并联的快恢复二极管芯片,其具备正温度系数、漏电流小的特性。以上两种芯片已成功应用于大功率工业级和车用级模块,打破了大功率工业级和车用级模块完全依赖进口芯片的被动局面。
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