兆易创新：进军千亿美金存储赛道
摘要： 事件：9月20日，长鑫存储动态随机存取存储芯片（DRAM）项目投产。经客户验证，长鑫存储10纳米级第一代8GbDDR4DRAM产品性能达标，客户对验证结果表示满意。预计今年底，首批芯片将会送到客户手中
事件：9月20日，长鑫存储动态随机存取存储芯片（DRAM）项目投产。经客户验证，长鑫存储10纳米级第一代8GbDDR4DRAM产品性能达标，客户对验证结果表示满意。预计今年底，首批芯片将会送到客户手中。
长鑫存储投产，打造一流存储产业集群。长鑫晶圆项目由合肥市产业投资（控股）和兆易创新合作投资。长鑫存储12寸存储器晶圆制造基地项目是国内首家以19纳米工艺为切入点的项目，也是中国大陆唯一拥有完整技术、工艺和生产运营团队的DRAM项目。截至目前，公司研发投入超过25亿美元，投入用于研发的晶圆约2万片。8GbDDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。一期设计产能每月12万片晶圆，预计三期满产后，产能可以达到每月36万片。
长鑫项目整体进度超预期，努力打造一流存储产业集群。2017年3月合肥长鑫12英寸项目一期厂房开工建设；2018年1月一期厂房建设完成开始设备安装；2018年底19纳米8GBDDR4工程样片下线；2019年9月正式投产，整体产线建设速度位居行业领先。9月21日，投资超2200亿元的长鑫集成电路制造基地也在2019世界制造业大会上签约：长鑫12寸存储器晶圆项目（1500亿）、空港IC配套产业园项目（200亿）和合肥空港国际小镇项目（500亿），有望加强产业集群效应，带动上下游产业链发展。
长鑫存储填补国内DRAM空白，有望突破韩、美企业垄断地位。存储器芯片是中国芯片市场中的最大品类，市场需求达到全球的30%，进口额接近300亿美元，但我国的自主生产能力为零。DRAM作为存储器的一种重要分类，2018年其全球市场规模已达830亿美元，而96%市场被韩国三星、韩国海力士、美国美光3家寡头垄断，长鑫存储的DRAM突破对国产化替代具有重大意义。
盈利预测与投资建议。由于存储芯片价格下行趋势放缓以及兆易创新存储业务的客户拓展情况良好，叠加思立微已实现并表，预计公司的营收有着较大的增长空间，预计2019-2021年EPS分别为1.81元、2.53元、2.88元，对应PE分别为99、71、63倍。考虑到兆易创新当前估值水平处于公司历史估值中枢和行业平均估值水平的相对高位，暂不给予评级和目标价。
风险提示：产能扩产不及预期的风险；思立微承诺业绩不及预期的风险。
