（1）核心技术优势公司自创立以来，专注于存储器芯片的技术研发和产品创新。以技术创新为基础，公司通过持续的创新研发和技术积累，现已形成具备完整的核心技术和产品体系。NOR Flash 方面，公司创新性地将电荷俘获技术的 SONOS 工艺应用在 NOR Flash的研发设计中，并与晶圆厂联合开发和优化 55nm NOR Flash 工艺制程的 NOR Flash 芯片，使得公司的 NOR Flash 芯片具备了宽电压、超低功耗、快速擦除和高性价比等特点以及领先的成本优势。随着公司和下游客户之间业务的不断开展，公司 NOR Flash 产品的功耗、稳定性和兼容性得到了国内外客户的认可，出货量逐年增长，公司已经逐渐成为了 NOR Flash 市场中重要的供应商之一。EEPROM 方面，公司联合晶圆厂优化 130nm 工艺制程下的制造工艺，针对存储单元的结构、擦写电压进行了改造和优化，有效的缩小了芯片面积，在保障可靠性的前提下有效的降低了芯片的单位成本。同时公司积极响应市场需求、发挥技术优势，实现了地址编程、区域保护等特色功能，满足了客户对摄像头模组中的参数的保护诉求，极大地提升了公司产品的市场竞争力并保障了公司的盈利能力。综合来看，公司 EEPROM产品的可靠性、功耗等性能指标均表现优异。公司的核心技术均属于自主知识产权，并形成了有规划、有策略的专利布局。截至2020 年 12 月 31 日，公司已获授权的发明专利达 23 项，集成电路布图设计证书 23 项，已经建立起了完整的自主知识产权体系。（2）核心团队优势公司自创立以来，专注于持续的技术研发和产品创新，持续的研发创新帮助公司在产品性能上取得重要的技术突破，形成了 NOR Flash 和 EEPROM 两大产品线。公司创始团队和技术团队曾经在 NEC、华虹 NEC、中芯国际、Integrated Device Technology, Inc.（IDT）、旺宏、Silicon Storage Technology, Inc.、SONY 等国内外知名公司有多年研发和管理经历，核心技术人员平均工作超过十五年，具备深厚的 IDM、Foundry 和 Fabless行业经验，具备综合竞争优势：1）公司拥有丰富的与晶圆代工厂合作开发先进工艺制程的产业经验，具备推动存储器技术升级和存储单元及相关器件的优化的研发能力；2）公司作为 Fabless 设计公司，拥有持续成功的产品开发量产经验，形成存储器和数模混合芯片领域的设计优势，产品具备领先的低功耗、宽电压等优势；3）公司基于 IDM 的工艺和产品协同开发经验，通过优化产品的设计架构与工艺，能够最大程度地实现对产品性能、可靠性和芯片面积的优化；4）公司基于与晶圆厂的长期合作和战略协同，提高了工艺开发和产品迭代的效率，使公司的产品具备业界领先的工艺节点和存储单元性能及尺寸。公司核心团队在技术研发、市场销售、工程管理等领域均有着丰富的阅历和实战经验。公司自成立以来就十分注重人才的培养和创新，目前已培养了众多存储器芯片设计领域的专业技术人才，同时不断吸收优秀的研发人才，为公司的产品升级和业务拓展奠定良好的研发团队基础。（3）客户资源拓展迅速经过多年的发展和积淀，凭借低功耗、高可靠性等产品优势，公司已成为国内重要存储器芯片供应商之一，得到了客户的广泛认可。目前公司核心产品广泛应用于各类手机摄像头模组、AMOLED、TDDI、蓝牙耳机、家电等领域，公司在国内市场覆盖了 OPPO、vivo、华为、小米、联想、美的等众多知名企业，同时不断拓展海外市场，覆盖三星、松下、惠普、希捷等知名终端客户，并与Dialog 等主控原厂建立了稳定的合作关系。凭借国内外客户资源的迅速拓展，近年来公司经营业绩保持高速增长。（4）产品体系优势公司已推出的产品体系覆盖了 EEPROM 和 NOR Flash，均具备优异的产品性能和较强的市场竞争力。首先，公司的存储器芯片产品容量覆盖 2Kbit-128Mbit、支持宽电压操作，可满足不同场景下的数据存储需求和完整解决方案，例如手机摄像模组中的2D 和 3D 应用场景；其次，公司提供超小型封装方案，包括 1.5mm*1.5mm USON 封装和最小 0.575mm*0.575mm 的WLCSP 封装，满足下游客户对存储器芯片的小型化需求；最后，公司提供合封和外挂的两种选择方案，适用不同的客户场景需求。因此，公司是行业内为数不多的同时具备 EEPROM 和 NOR Flash 产品线的芯片设计公司，能够针对客户不同的容量、功能和封装需求，提供综合性存储器芯片解决方案。

一、主营业务市场规模相对较小，公司竞争实力有待提高的风险存储器芯片市场由 DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash、EEPROM 等细分市场组成，2019 年全球 DRAM 全球市场规模约 603 亿美元，NAND Flash 全球市场规模约 430 亿美元，NOR Flash 和 EEPROM 市场规模约 36 亿美元，其中 DRAM 和 NAND Flash 占据了存储器芯片市场的主要份额。2018 年、2019 年、2020 年公司分别实现营业收入 17,825.27 万元、36,298.96 万元、71,733.20 万元，主要来源于 NOR Flash 和 EEPROM 两大类非易失性存储器芯片，占主营业务收入的比例分别 99.17%、99.30%和 99.69%，主要经营的 NOR Flash 和 EEPROM产品所在的市场规模相对较小。此外，NOR Flash 和 EEPROM 市场已经经历了数十年的发展，成立时间较早的华邦、旺宏、兆易创新等 NOR Flash 厂商以及意法半导体等 EEPROM 厂商已经在收入规模、业务毛利率、专利技术等方面具备了一定的先发优势，并保持着较高的研发投入水平和研发人员数量，公司作为市场新进入者，面临一定的外部竞争压力，综合实力有待提升。二、NOR Flash 和 EEPROM 业务存在市场竞争加剧的风险NOR Flash市场中，由于NOR Flash市场规模相对较小且竞争日趋激烈以及DRAM、NAND Flash 需求爆发，国际存储器龙头纷纷退出中低端 NOR Flash 市场，产能或让位于高毛利的高容量 NOR Flash，或转向 DRAM 和 NAND Flash 业务。美光（Micron）和赛普拉斯分别在 2016 年和 2017 年开始减少中低端 NOR Flash 存储器产品产能。2019 年全球 NOR Flash 主要市场份额由华邦、旺宏、兆易创新、赛普拉斯和美光等国内外大型厂商占据，公司在整体规模、资金实力、海外渠道等方面仍然存在一定差距。如果公司不能够保证 NOR Flash 产品良好的竞争力以应对市场竞争压力，可能面临因市场竞争导致产品价格和利润空间缩减以及经营业绩不及预期的风险。EEPROM 市场中，根据赛迪顾问统计数据，2018 年全球 EEPROM 市场规模为 7.14亿美元，意法半导体、安森美、聚辰股份等全球前十大 EEPROM 厂商占据超过 95%的全球 EEPROM 市场份额，公司作为新进入者面临较大的外部竞争压力。EEPROM 的细分市场分为汽车、工业和消费电子。汽车和工业 EEPROM 市场主要由意法半导体、安森美等境外企业主导，以手机摄像头为主的消费电子 EEPROM 市场由聚辰股份等企业主导。报告期内公司 EEPROM 产品主要应用于手机摄像头模组，2020年该类产品销售收入占公司 EEPROM 业务收入的比例高达 80.19%，因此，公司的EEPROM 业务亦面临与聚辰股份等先发企业之间较为激烈的市场竞争。如果公司 EEPROM 产品无法保持良好的竞争力，或者未能及时开发汽车、工业EEPROM 产品以丰富自身的产品体系，可能面临因激烈的市场竞争导致利润空间缩减、经营业绩增长不及预期的风险。三、公司 NOR Flash 产品采用的基础工艺结构与竞争对手存在差异存储器芯片主要由存储单元和外围电路两部分组成。存储单元方面，目前 NORFlash 的主流基础工艺包括浮栅 ETOX 和电荷俘获的 SONOS 工艺结构。ETOX 结构由 Intel 公司在 1988 年提出，被广泛应用于 Flash 存储器芯片的设计中。时至今日，ETOX 工艺结构相关技术已经较为成熟，华邦、旺宏和兆易创新等企业均采用 ETOX 工艺结构进行 NOR Flash 的研发设计。SONOS 结构由赛普拉斯在 2001 年提出，被广泛的应用于嵌入式非易失性存储器和MCU 等半导体器件中，具备成本低、操作电压低等特性。2016 年公司与赛普拉斯签署了 SONOS 的技术授权协议，并基于 SONOS 工艺结构完成 NOR Flash 产品的研发设计。综上，ETOX 和 SONOS 工艺结构属于不同类型的基础工艺和技术路径，公司的NOR Flash 产品自 2016 年以来均采用了 SONOS 结构，与华邦、旺宏和兆易创新等主要NOR Flash 厂商在产品的技术路径上存在较大差异。四、基础工艺技术授权到期风险公司已付费购买赛普拉斯的 40nm 和 55nm SONOS 工艺的授权，授权截止时间为2028 年 12 月 31 日，用于公司 NOR Flash 产品的研发设计。赛普拉斯因被英飞凌收购，自 2020 年 1 月 1 日起，其与公司就 SONOS 工艺的授权协议所约定的权利义务均转移至英飞凌继续履行。报告期内，公司 NOR Flash 产品的收入分别为 13,459.31 万元、25,467.60 万元和 49,314.07 万元，占当期营业收入比例为 75.51%、70.16%和 68.75%。五、NOR Flash 和 EEPROM 产品的技术迭代风险近年来，集成电路行业按照摩尔定律继续发展演变，芯片的集成度和性能不断改善升级。存储器芯片产品的标准化程度较高，差异化竞争较小，因此技术升级是存储器芯片公司间竞争的主要策略，存储器芯片的技术升级主要体现在工艺制程和产品性能两方面。NOR Flash 工艺制程从 90nm 发展到了 65nm、55nm 和 40nm；EEPROM 的工艺制程和存储单元逐步实现了从 0.35um/7.245um2、0.18um/2.88um2、0.13um/1.64um2、0.13um/1.26um2 向 0.13um/1.01um2 的升级，以降低产品单位成本和提高产品竞争优势。除了工艺制程升级外，随着存储器芯片的应用场景越来越多样化，下游客户对芯片性能的要求也日趋多样，尤其是可穿戴设备、物联网设备的兴起提高了客户对芯片的功耗、面积等性能的要求。因此，如未来下游客户继续对存储器芯片性能提出新的需求，而公司在现有的低功耗NOR Flash和高可靠性EEPROM的产品体系基础上未能进一步实现产品的性能升级，或公司在产品的工艺制程升级上落后于同行业竞争对手导致单位成本不具备优势，将对公司的经营业绩增长造成不利影响。