金溢科技通过股权投资进入第三代半导体氮化镓赛道

　　5月13日发出的公告称，公司将与深圳镓【华微电子(600360)、股吧】有限公司（以下简称“深圳镓华”）及其创始人CHARLES CHUNLI LIU先生签署《投资意向书》，公司拟以9,000万元投资额增资入股深圳镓华，增资完成后将持有深圳镓华11.25%的股权。虽然此协议为意向协议，但是也预示着金溢科技在享受过取消省界收费站政策红利后，管理层开始布局更加有前景的赛道。

　　【金溢科技(002869)、股吧】这次选择的投资公司深圳镓华大有来头。深圳镓华是一家位于深圳专业从事第三代宽禁带半导体硅衬底氮化镓（GaN)功率器件的研发、生产和销售的科技公司，该公司由在海外从事半导体行业25年和开发硅衬底GaN功率器件产品18年经验的刘查理博士领军。深圳镓华拥有完整的硅衬底GaN功率器件相关的知识产权和技术，目前已经成功流出650V/900V/1200V硅衬底GaN功率器件工程芯片，各项静态/动态/电路参数测试结果优异，相关技术成果国内外领先。深圳镓华正在积极布局生产链产能和产品市场推广，全力加速产品量产和市场销售。

　　据了解，第三代半导体氮化镓是国家写进“十四五”规划的明确重点发展行业，代表着未来世界化合物半导体的发展方向，是解决卡脖子技术的关键领域之一。第三代半导体在5G通信、新能源汽车等车载及路端的全产业链均有着广阔的应用场景。

　　金溢科技通过增资入股深圳镓华，后续将借助深圳镓华在氮化镓（GaN)功率器件领域的技术优势，并发挥公司在车联网领域积累的技术和资源，双方共同开拓氮化镓在车联网领域的应用。本次投资不仅有可能使公司获得良好的投资回报，也可助力公司持续发展、打开上市公司未来更多的发展空间。