科研人员研发出黑磷晶体管 功耗降低上万倍（附受益股）

　　据报道，韩国KAIST大学物理系的科研人员开发出可控厚度的黑磷隧道场效应晶体管（TFET），相对传统半导体（CMOS）晶体管，该晶体管的功耗低10倍，待机功耗低10000倍。该研究小组表示，他们研发的黑磷TFET实现了创纪录的高通态电流，这使得TFET能够以比传统CMOS晶体管更高的速度运行，并且功耗更低。

　　晶体管的不断缩小一直是当前信息技术成功发展的关键。然而，随着摩尔定律因功耗增加而达到极限，迫切需要开发新的替代晶体管设计。业内人士表示，黑磷晶体管已更快的运行速度和更低的功耗，可以取代传统的CMOS晶体管。特别是，他们解决了晶体管运行性能和功耗关系的两难问题，为扩展摩尔定律铺平了道路。

　　相关上市公司：

　　兴发集团(行情600141,诊股)：我国最大的磷矿资源企业。公司控股子公司中科黑磷与中科院先成立联合实验室，进行二维黑磷的大规模制备及应用，已在芯片制造、提高贵金属催化效果、抗肿瘤靶向治疗方面取得进展，已申报和正在申报的黑磷相关专利达15项；

　　国轩高科(行情002074,诊股)：拥有黑磷制备专利；

　　【澄星股份(600078)、股吧】(行情600078,诊股)：我国精细磷化工龙头企业，已经获得采矿权或探矿权的磷矿资源储量超过1.26亿吨。