东微半导登A：市场需求提振 深耕技术创新打造行业领先

　　功率半导体技术创新者——【东微半导(688261)、股吧】（688261）即将正式登陆科创板。

　　作为一家技术驱动型半导体企业，东微半导拥有强大的自主研发能力并形成了多项基础专利，凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，公司集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级领域的高压超级结和中低压功率器件产品领域实现了国产化替代。

　　此次成功登陆A股，公司将从资本市场汲取发展力量，持续保持自身的领先地位。

　　下游需求持续提升 充分享受市场扩容利好

　　东微半导主要产品包括高压超级结以及中低压屏蔽栅MOSFET产品，广泛应用于充电桩、快速充电器、电机驱动、光伏逆变器等下游行业。在市场份额方面，公司在全球MOSFET功率器件市场份额中位列中国本土企业前十。

　　从需求市场来看，中国是MOSFET需求大国。在碳达峰、碳中和的政策指引下，新能源产业高歌猛进，不管是从未来的市场空间，还是从短期业绩的高增，新能源汽车、新能源发电均保持了高景气度。

　　以MOSFET、IGBT为代表的功率半导体是新能源汽车电机控制器、车载空调、充电桩等设备的核心元件，汽车电动化给MOSFET带来巨大的增量，同时也带动了产品结构的快速升级。在功率半导体的应用占比中，汽车角度占比较高，随着汽车电动化、智能化、网联化、共享化等加速发展，功率半导体将迎来发展黄金期，行业未来发展趋势一片向好。

　　同时，新能源发电市场持续扩容，也成为MOSFET、IGBT等功率半导体市场的重要驱动力。目前，新能源发电主要以光伏发电和风力发电为主，MOSFET、IGBT为代表的功率半导体作为光伏逆变器和风力发电逆变器的核心元件，在新能源发电的浪潮下也迎来了大量订单。

　　此外，消费电子市场为MOSFET等功率半导体带来稳定可观的市场体量。MOSFET是智能手机的充电保护电路、放电保护电路等组件的核心元件，在电子产品中应用广泛，随着以智能手机为代表的消费电子市场持续扩张，MOSFET等功率半导体的需求量有望稳步提升，同时，5G商用化进程的开始，也将推动MOSFET的需求量进一步增长。

　　作为国内领先的高性能功率器件设计厂商，东微半导已与国内外各行业的龙头客户建立了长期的合作关系。在各类功率器件应用领域尤其是工业级应用领域中，公司的产品获得了众多知名企业的认可，成为了该等客户的少数国内供应商之一。同时，公司在全球范围内积累了众多的知名终端品牌客户。

　　随着下游下游应用需求的持续提升，国内功率器件广阔的进口替代的存量空间，以及功率半导体更新换代的驱动。东微半导凭借优异的技术实力、产业链深度结合能力和客户创新服务能力，可持续受益于MOSFET产品市场的扩容利好。

　　深化巩固研发优势 打造长期的核心竞争力

　　超级结MOSFET是MOSFET结构设计的先进技术。目前，我国超级结MOSFET的市场参与者仍以国际大厂为主，东微半导是少数能在超级结MOSFET领域突破海外技术垄断的本土企业。

　　取得这样的成就，并非旦夕之功，东微半导的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年，具有丰富的研发经验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力，这确保了公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋势，亦满足客户终端产品的创新需求。

　　在技术水平方面，公司在高压超级结技术领域积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。在中低压领域，公司亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，产品的关键技术指标达到了国内领先水平。

　　同时，东微半导将这些核心技术与专利应用于功率器件产品之中，推动了创新技术的产业化。根据《人民日报》报道，2016年4月，公司成为率先量产充电桩用高压超级结MOSFET器件的本土企业，打破了国外企业对这一产品的垄断，降低了充电桩的整体成本，也为近几年国内充电桩的快速推广提供了大量的国产化芯片。

　　此外，公司充分利用国际一流的晶圆代工资源，将自身的创新能力与代工合作伙伴的制造能力深度结合，开发出性能优异的产品。公司是国内在12英寸晶圆产线上较早实现功率器件量产的功率器件设计公司之一。

　　目前，东微半导已自主研发了逾900种高压MOSFET产品型号并覆盖500V-950V区间的工作电压；以及逾500种中低压MOSFET产品型号，覆盖25V-150V区间的工作电压。此外，公司自主研发了多个系列的TGBT产品系列，可满足不同应用场景需求。

　　值得一提的是，东微半导并未就此止步，作为一家技术驱动型半导体企业，东微半导深知技术创新为企业立足之本，为了更好地指引未来发展，公司每年投入大量的研发费用用于技术开发，并进一步完善公司研发和技术力量建设体系，以形成持续的创新能力。经过多年研发，公司在2021年推出了基于其专利结构的创新型IGBT产品（Tri-gate IGBT）并实现量产出货，进入了储能、光伏等应用领域。

　　此外，东微半导还在积极深化与上下游优秀合作伙伴的合作，使公司的技术创新能力与代工合作伙伴的制造能力深度结合，创造出更优秀的产品。这在进一步提高公司产品的竞争力以及丰富产品结构之外，也为东微半导未来新业务的拓展打下了坚实的基础。

　　在政策的大力扶持、行业进步的必然趋势、自身不断提高的研发实力等因素下，东微半导已然驶入发展的快车道，此次在科创板上市将进一步增强其核心竞争力，也将促使其为行业发展持续提供更加优质的产品和服务。