碳化硅国产替代空间巨大

　　目前功率器件无论是二极管、MOS、IGBT基本以硅基材料为主，而SIC(碳化硅)是一种宽禁带半导体材料，相对于SI基器件优势主要来自三个方面：降低电能转换过程中的能量损耗、更容易实现小型化、更耐高温高压。

　　目前SIC最大的应用市场在新能源汽车的功率控制单元(PCU)、逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等，与传统解决方案相比，基于SIC的解决方案使系统效率更高、重量更轻及结构更加紧凑。特斯拉此前在Model3率先采用以24个SIC-MOSFET为功率模块的逆变器，但价格比硅基贵4-5倍，制约产业推广，2020年国产比亚迪新能源汽车“汉”的电机控制器中开始应用SICMOSFET模块，预计2021年汽车领域SIC有望进入放量元年。

　　SIC生产过程分为SIC单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的是衬底、外延、器件与模组三大环节。

　　目前全球SIC产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势，其中美国衬底全球独大，根据第三方Yole统计，2018年Cree、Ⅱ-Ⅵ衬底全球份额约为78%；欧洲拥有完整的SIC衬底、外延、器件以及应用产业链，代表公司是英飞凌、意法半导体等；日本是设备和模块开发方面的领先者，代表公司是罗姆半导体、三菱电机、富士电机等。我国企业虽然在衬底、外延和器件方面均有所布局，但是体量均较小，如根据第三方Yole统计2018年天科合达衬底营收约为0.78亿元，排名全球第六、国内第一，但市占率仅1.7%，国产替代空间较大。

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　　国内SIC衬底材料厂商【露笑科技(002617)、股吧】、天科合达(天富能源参股3.7%)，器件商斯达半导、华润微、扬杰科技等；代工龙头三安集成(三安光电子公司)。

　　（文章来源：大众证券报）