半导体行业研究周报：碳化硅蓄势待发 国内产业链持续突破

　　本周行情概览：

　　本周申万半导体行业指数下跌3.56%，同期创业板指数下跌0.34%，上证综指上涨1.63%，深证综指上涨1.47%，中小板指上涨2.82%，万得全A 上涨1.16%。半导体行业指数显着跑输主要指数。半导体细分板块整体有所下跌。半导体细分板块中，半导体材料板块本周下跌2.6%，分立器件板块本周下跌2.7%，半导体设备板块本周下跌1.4%，半导体制造板块本周上涨0.3%，IC 设计板块本周下跌2.6%，封测板块本周下跌3.4%，其他版块本周上涨2.5%。

　　碳化硅具备高频/高压/高温等材料优势

　　SiC 物理特性相较于Si 在工作频率、抗高温和抗高压具备较强的优势。就器件类型而言，SiC MOSFET 与Si MOSFET 相似。但是，SiC 是一种宽带隙(WBG)材料，其特性允许这些器件在与IGBT 相同的高功率水平下运行，同时仍然能够以高频率进行开关。这些特性可转化为系统优势，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的热耗散。然而，SiC 在制造和应用方面又面临很高的技术要求，因此SiC 器件价格较高，具体实现全面商业化仍需一定的时间。

　　国内已开始建立碳化硅产业链，随着技术发展有望实现正向循环根据yole，Cree、英飞凌、罗姆、ST 等欧美厂商占据了全球主要的SiC 市场份额。并且，2020 年全球半绝缘型SiC 衬底市场中，Cree 与II-IV 合计市占率达到63%。在SiC 器件产业链中，衬底是最重要的制造环节，在SiC器件中的成本占比达到47%。从产品布局来看，国内已有不少企业开始布局SiC 市场，部分本土企业已开发出了6 英寸导电性SiC 衬底和高纯半绝缘SiC 衬底，同时也有本土企业开始建造SiC 器件生产线。

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