碳化硅晶片供应商天科合达闯关科创板

　　7月14日，上交所正式受理了北京天科合达半导体股份有限公司(简称“天科合达”)科创板上市申请。据招股书显示，天科合达是国内领先的第三代半导体材料——碳化硅晶片生产商。天科合达表示，随着碳化硅器件及其下游市场呈现爆发性增长，国内的碳化硅衬底材料供应已无法满足下游市场的需求，公司在现有产能的基础上，拟对主营业务碳化硅衬底材料进行扩产。本次闯关科创板，天科合达拟募集资金5亿元投建碳化硅衬底产业化基地建设项目。

　　专注碳化硅领域

　　招股书显示，天科合达是国内领先的第三代半导体材料——碳化硅晶片生产商。公司主要从事碳化硅领域相关产品研发、生产和销售，主要产品包括碳化硅晶片、其他碳化硅产品和碳化硅单晶生长炉，其中碳化硅晶片是公司核心产品。

　　据介绍，以碳化硅为代表的第三代半导体材料是继硅材料之后最有前景的半导体材料之一，与硅材料相比，以碳化硅晶片为衬底制造的半导体器件具备高功率、耐高压、耐高温、高频、低能耗、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。第三代半导体行业是我国“新基建”战略的重要组成部分，并有望引发科技变革并重塑国际半导体产业格局。

　　据了解，碳化硅衬底作为第三代半导体产业的基础材料，具有较高的应用前景和产业价值，在我国半导体产业发展中具有重要的战略地位。长期以来，碳化硅衬底的核心技术和市场基本被欧美发达国家垄断，并且产品尺寸越大、技术参数水平越高，其技术优势越明显。

　　天科合达自2006年成立以来，一直专注于碳化硅晶体生长和晶片生产领域，先后研制出2英寸、3英寸、4英寸碳化硅衬底，于2014年在国内首次研制出6英寸碳化硅晶片，并已形成规模化生产能力，工艺技术水平处于国内领先地位。

　　根据YoleDevelopment统计，2018年天科合达导电型晶片的全球市场占有率为1.7%，排名全球第六、国内第一。

　　天科合达曾于2017年4月10日正式在全国股转系统挂牌公开转让，并于2019年8月12日终止在全国股转系统挂牌转让。根据招股书，新疆生产建设兵团第八师国资委为天科合达的实际控制人。第八师国资委直接持有天富集团77.03%的股权，并通过持有石河子国有资产公司93.56%股权间接控制天富集团22.97%的股权，为天富集团的控股股东，第八师国资委通过天富集团控制发行人24.15%股份。此外，中科院物理所、国家大基金、哈勃投资等均为天科合达的股东之一。

　　未分配利润为负

　　财务数据显示，2017年至2019以及2020年1-3月(简称“报告期内”)，天科合达分别实现营业收入2406.61万元、7813.06万元、15516.16万元和3222.93万元，归属于母公司所有者的净利润分别为-2034.98万元、194.40万元、3004.32万元和439.77万元，扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润分别为-2572.06万元、-420.11万元、1219.21万元和151.03万元。

　　值得一提的是，截至报告期末，公司合并报表未分配利润为-1522.49万元。2017年以前，由于公司持续研发投入，以及受碳化硅半导体材料工业化应用进程较慢影响，公司持续亏损，累计未弥补亏损规模较大。2018年以来，随着公司产品生产工艺的成熟和下游需求的增加，公司收入规模快速增长，并实现持续盈利，累计未弥补亏损规模持续减小，但截至报告期末，合并财务报表的未分配利润仍然为负。对此，公司提示风险，如果公司无法完全弥补以前年度的累计亏损，将存在短期内无法向股东进行利润分配的风险。

　　报告期内公司研发投入分别为1488.35万元、1262.00万元、2919.28万元和568.27万元，占同期营业收入的比例分别为61.84%、16.15%、18.81%和17.63%，其中2017年由于公司营收规模较低，因此研发投入占比较高。

　　截至报告期末，天科合达拥有已获授权的专利34项，其中已获授权发明专利33项(含6项国际发明专利)。

　　天科合达表示，报告期内，随着新能源汽车、5G通讯等下游应用场景的逐步成熟，市场对碳化硅晶片及相关产品的需求快速增长。公司根据市场需求情况不断扩大碳化硅晶体和晶片产能，并设立沈阳分公司专业从事碳化硅单晶生长炉业务，产品供给能力不断提升。报告期内，公司业务快速发展，盈利能力持续增强。

　　募资加码主营业务

　　招股书显示，天科合达拟公开发行不超过6128万股人民币普通股，募集资金拟投资第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目，项目投资总额为95706万元，其中以募集资金投入的金额为5亿元。

　　天科合达表示，随着碳化硅器件及其下游市场呈现爆发性增长，国内的碳化硅衬底材料供应已无法满足下游市场的需求，公司在现有产能的基础上，拟对主营业务碳化硅衬底材料进行扩产。本次募集资金投资项目第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目主要建设一个包括晶体生长、晶片加工和清洗检测等全生产环节的生产基地。项目投产后年产12万片6英寸碳化硅晶片，其中6英寸导电型碳化硅晶片约为8.2万片，6英寸半绝缘型碳化硅晶片约为3.8万片。

　　关于未来的发展战略，天科合达表示，公司自设立以来专注于第三代半导体碳化硅材料的技术研究、开发与生产。目前，我国碳化硅市场仍处于新兴起步阶段，国家将第三代半导体材料的研发与生产定位于重点支持行业，公司的发展战略定位将继续聚焦于碳化硅材料的研发及生产，一方面紧跟国际第三代半导体行业发展趋势，通过自主研发持续提升公司技术实力，不断突破碳化硅晶片技术瓶颈，提升碳化硅半导体材料国产化率，推动我国碳化硅行业发展；另一方面抓住我国半导体功率器件和5G通讯行业发展的机遇，持续投入资金和人力资源，扩大碳化硅晶片生产能力，通过人才引进和加强内部管理，不断提升产业化运营能力，进一步巩固公司核心竞争力，提高公司产品在国内外的市场占有率，成为全球第三代半导体材料龙头企业。