半导体工艺实现关键突破 相关产业链值得关注(附股)
来源: 金融界
作者:徐航
摘要: 据报道,InstituteofMicroeletronics(IME)的研究人员近日实现了一项技术突破,完成了多达四个半导体层的堆叠。与传统的二维制造技术相比,可以节省50%的成本,
据报道,Institute of Microeletronics(IME)的研究人员近日实现了一项技术突破,完成了多达四个半导体层的堆叠。与传统的二维制造技术相比,可以节省50%的成本,该技术可能会用于未来的CPU和GPU上,或许真正的新一代3D芯片堆叠就在眼前。
点评:相比此前台积电和AMD的SRAM堆叠技术,IME的这项新技术更进一步,通过TSV(硅通孔技术)成功粘合了四个独立的硅层,允许不同模具之间通信。这样的技术带来的好处是显而易见的,可以允许芯片由不同工艺的组件在不同晶圆中制造。
【赛微电子(300456)、股吧】(300456)掌握了硅通孔(TSV)等多项在业内具备国际领先竞争力的工艺技术和工艺模块,拥有目前业界最先进的硅通孔绝缘层工艺平台(TSI)。
审核:yj127
编辑:yj127
关键词:
工艺,通孔,IME