第三代半导体概念等处于涨幅排名前列

1月6日上证收3157.64点、涨跌幅0.08%、深指收11367.73点、涨跌幅0.32%、创业板收2422.14点、涨跌幅0.95%。

第三代半导体概念等 处于涨幅排名前列

概念涨幅方面，HJT电池、矿物制品、电气设备、一体化压铸等排名前列。在第三代半导体概念中，京泉华涨幅10.01%、【新洁能(605111)、股吧】涨幅7.96%、智光电气涨幅6.21%排名前列。

根据赢家老子十二宫工具分析可得：第三代半导体(858586)本日点位开盘1050.6，收盘1062.32，本日涨幅0.99%，本日日线以上下影阳线收盘，近十日呈上涨走向，目前处于上涨结构回落警戒线获得支撑，按照赢家十二宫工具规则，如果警戒线站稳，则短线看高至上涨结构顶部位置1106.35点，如跌破警戒线向下看跌至上涨结构底部1000.3支撑。

该概念由《赢家江恩证券分析系统》工具分析可得以下结果：当前在赢家极反通道生命线和蓝色下轨线之间的弱势通道内运行，弱势区域内运行，所有上攻皆以短线反弹来应对，上方重要压力为生命线1086.829位置，下方重要支撑为蓝色下轨线960.6485位置，等突破生命线转强后再积极操作。