消息称三星电子300+层3D NAND仍采用双次堆叠

　　为巩固自身NANDFlash龙头地位，传三星电子计划堆叠300+层的3DNAND仍采用双次堆叠（double-stack）技术，期望通过生产成本优势超越竞争对手。据韩媒引述业界消息，三星预计2024年量产堆叠300+层、第九代3DNAND，预计将继续采用双次堆叠技术。三星从第七代176层3DNAND开始采用双次堆叠技术。一般来说，双次堆叠可以降低产品生产难度，但最大问题是会使生产成本增加。